Група навукоўцаў з Карэйскага інстытута навукі і тэхналогій (Паўднёвая Карэя) апублікавала артыкул у часопісе Applied Physics Letters, у якой паведамляецца аб стварэнні першай у міры дзейснай празрыстай мікрасхемы памяці. Сваю распрацоўку даследнікі назвалі «празрыстай рэзістыўнай памяццю з адвольнай выбаркай» (transparent resistive random access memory, TRRAM), паведамляе Science Daily.
Па характарыстыках мікрасхема нагадвае шырока выкарыстоўваную цяпер энергонезависимую памяць тыпу КМОП. Тэхналагічна жа новыя чыпы шмат у чым паўтараюць нядаўна распрацаваныя ўзоры рэзістыўнай памяці з адвольнай выбаркай (resistive random access memory, RRAM). Пры вырабе RRAM выкарыстоўваюцца адрозныя высокай празрыстасцю металлооксидные матэрыялы, і карэйскім навукоўцам заставалася толькі адшукаць падыходныя празрыстыя электроды і падкладку і стварыць на гэтай аснове мікрасхему. Каэфіцыент прапускання выпраменьвання ў бачным дыяпазоне ў гатовага выраба апынуўся роўны 0,81.
«Мы адкрылі новы этап у развіцці святлопранікальнай электронікі, — упэўнена заяўляе Джун Прэч Сео (Jung Won Seo), кіроўны аўтар працы. — Аб'яднаўшы TRRAM з іншымі празрыстымі кампанентамі, можна стварыць завершанае — і прагляданае наскрозь — электронная прылада». Па словах навукоўцаў, наладзіць вытворчасць мікрасхем TRRAM параўнальна проста, і да камерцыйнай рэалізацыі новай тэхналогіі засталося ўсяго тры-чатыры года. Кошт на такія прылады таксама не павінна быць занадта высокай, паколькі ў якасці падкладкі і электродаў можна выкарыстаць практычна любыя празрыстыя матэрыялы.
Вырабленая першая ў міры празрыстая мікрасхема
17 снежня 2008
Каментароў (0)