Кампанія IBM і яе партнёры – AMD, Freescale, STMicroelectronics і Toshiba у супрацоўніцтве з амерыканскім Каледжам наноисследований і інжынірынгу (CNSE) паведамілі аб распрацоўцы самых кампактных у міры модуляў памяці фармату SRAM (static random access memory). Адначасова з гэтым кампаніі паведамілі, што пры стварэнні модуляў першымі ў міры імі быў выкарыстаны 22-нм тэхналагічны працэс вытворчасці.
Па дадзеных прэс-службы IBM, 22-нм модулі былі вырабленыя ў лабараторыях карпарацыі ў Нью-Ёрку на базе выкарыстоўваных на сёння 300-мм крамянёвых падкладак.
На дадзены момант асноўнай тэхналогіяй для вытворчасці мікраэлектронікі з'яўляецца 45-нм тэхналогія. Да 2010 году вытворцы маюць намер асвоіць у масавым маштабе 32-нм працэс, а толькі затым перайсці да 22-нм чыпам.
Як распавялі ў IBM, у аснове новых чыпаў SRAM знаходзяцца транзістары, створаныя па патэнтаванай тэхналогіі high-K metal gate, якую задзейнічаюць і ў вытворчасці 32-нм чыпаў. "Як правіла, шчыльнасць чыпаў SRAM падвышаецца за рахунак памяншэння памераў базавых элементаў чыпаў - вочак. У выпадку з новымі паменшанымі вочкамі атрымалася дамагчыся не толькі іх памяншэння, але і новага больш шчыльнага размяшчэння адносна адзін аднаго", - кажуць у IBM.
Таксама ў стварэнні модуляў памяці быў ужыты і новы працэс літаграфіі які разлічаны на выкарыстанне 300-мм падкладак, але са значна больш шчыльным 3-мерным размяшчэннем вочак.
"Мы працуем літаральна на пярэднім боку даступных цяпер тэхналогій. У будучыні на аснове гэтых распрацовак будуць стварацца чыпы новых пакаленняў. 22-нм тэхпрацэс з'яўляецца новым дасягненнем для мікраэлектронікі", - кажа кіраўнік нью-йоркскай даследчай лабараторыі і віцэ-прэзідэнт Каледжа наноисследований Т.З. Чен.
Створаныя першыя ў міры 22-нм модулі SRAM
19 жніўня 2008
Каментароў (0)