Паўднёвакарэйская кампанія Samsung паведаміла аб стварэнні першай у міры мікрасхемы дынамічнай памяці з адвольным доступам (DRAM), выкананай з ужываннем 40-нанаметровай тэхналогіі, паведамляе InformationWeek. На пачатковым этапе новыя мікрасхемы памяці будуць выкарыстоўвацца пераважна ў наўтбуках.

У цяперашні час «Самсунг» дэманструе ўзоры 40-нанаметровых мікрачыпаў DDR2 ёмістасцю 1 Гбіт, а таксама модулі DDR2-800 аб'ёмам 1 Гб. Мікрасхемы сертыфікаваныя для працы разам з наборам сістэмнай логікі Intel GM45 Express, прызначаным для выкарыстання ў партатыўных кампутарах.

Распрацоўнікі адзначаюць, што мікрасхемы DRAM, вырабленыя па 40-нанаметровай тэхналогіі, валодаюць на 30% малодшым энергаспажываннем у параўнанні з чыпамі, вырабленымі з выкарыстаннем 50-нанаметровага тэхпрацэсу. Такім чынам, ужыванне новых модуляў памяці дазволіць некалькі павялічыць час аўтаномнай працы наўтбукаў.

Масавая вытворчасць мікрасхем DRAM па 40-нанаметровай методыцы «Самсунг» плануе асвоіць у канцы бягучага года. На пачатковым этапе кампанія будзе пастаўляць модулі DDR3 ёмістасцю 2 Гбіт. У 2010 году на рынку таксама з'явяцца мікрасхемы DDR2, вырабленыя з выкарыстаннем новага тэхпрацэсу.

рэкамендуем прачытаць таксама

• Samsung пачынае выпуск гігабітных чыпаў XDR DRAM
• Samsung “душыць” канкуруючых вытворцаў памяці?
• Кошты на чыпы DRAM і NAND зваліліся да рэкордных значэнняў
• Рынак аператыўнай памяці скараціўся да васьмігадовага мінімуму
• Rambus паказала памяць, якая працуе на рэкордных хуткасцях

Каментаванне не дазволенае.